华虹半导体申请沟槽型电容及其制作方法专利，实现了在半导体制造的前道工艺中集成高密度的电容

国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“沟槽型电容及其制作方法”的专利，公开号CN120603257A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本申请公开了一种沟槽型电容及其制作方法，该沟槽型电容包括：衬底，衬底中形成有凹槽，凹槽的深度和宽度的比值大于6；衬底和凹槽表面以下的预定深度的区域内形成有掺杂区，衬底和凹槽的表面形成有介质层，凹槽内填充有多晶硅层，掺杂区为沟槽型电容的第一电极，介质层为沟槽型电容的电容介质，多晶硅层为沟槽型电容的第二电极。本申请通过在衬底中形成深凹槽，在深凹槽和衬底的表面下方形成掺杂区作为第一电极，在深凹槽和衬底的表面形成介质层作为电容介质，在深凹槽中填充多晶硅层作为第二电极，构成了三维的沟槽型电容，实现了在半导体制造的前道工艺中集成高密度的电容。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目375次，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可227个。

华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2938次，专利信息1792条，此外企业还拥有行政许可116个。

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来源：市场资讯