长江存储申请半导体装置及其制造方法专利，提供用于管理三维(3D)半导体装置的系统、装置和方法

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN120603233A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本文公开了一种半导体装置及其制造方法。提供了用于管理三维(3D)半导体装置的系统、装置和方法。在一个方面中，半导体装置包括具有多个存储器单元的阵列结构。多个存储器单元中的存储器单元包括堆叠在一起的晶体管和电容器。晶体管包括晶体管主体、第一端子、第二端子以及栅极结构。晶体管的第一端子沿第一方向与电容器的第一电极接触。栅极结构包括导电膜，导电膜具有成角度的或弯曲的一端，与晶体管的第二端子相比，该成角度的或弯曲的一端更靠近晶体管的第一端子。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1416次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

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来源：市场资讯