华虹半导体申请超级结器件及其形成方法专利，使得超级结器件的深沟槽从顶部到底部都保持相同的N和P掺杂匹配

国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“超级结器件及其形成方法”的专利，公开号CN120603305A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明提供一种超级结器件及其形成方法，其中器件包括：在衬底上形成外延层之后，在外延层内形成至少两个深沟槽，位于深沟槽内的深沟槽外延层，其中，深沟槽外延层包括位于深沟槽内的第一深沟槽外延层，位于第一深沟槽外延层表面的第二深沟槽外延层，位于第二深沟槽外延层表面的第三深沟槽外延层，第一深沟槽外延层内具有第一掺杂离子，第二深沟槽外延层内具有第二掺杂离子，第一掺杂离子的类型与第二掺杂离子的类型相反，第一深沟槽外延层在垂直于深沟槽的延伸方向上具有第一横向宽度值，第二深沟槽外延层在垂直于深沟槽的延伸方向上具有第二横向宽度值，第一掺杂离子在第一深沟槽外延层内具有第一掺杂浓度值，第二掺杂离子在第二深沟槽外延层内具有第二掺杂浓度值，第一横向宽度值与第一掺杂浓度值的乘积等于第二横向宽度值与第二掺杂浓度值的乘积；使得超级结器件的深沟槽从顶部到底部都保持相同的N和P掺杂匹配，更容易的应用到BV超1000V的MOSFET器件中。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2938次，专利信息1792条，此外企业还拥有行政许可116个。

上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目921次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

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来源：市场资讯