武汉新芯申请半导体测试结构及测试方法专利，能够对硅通孔刻蚀工艺的刻蚀量进行监控

国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体测试结构及半导体测试方法”的专利，公开号CN120600731A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体测试结构及半导体测试方法，半导体测试结构包括测试结构，所述测试结构包括：衬底；第一介质层和半导体层，堆叠于所述衬底的第一表面；第二介质层，位于所述衬底的第一表面，所述第二介质层还覆盖所述半导体层和所述第一介质层；第一通孔，从所述衬底的第二表面向所述半导体层方向延伸，所述第一表面与所述第二表面相背，通过监测所述半导体层的电阻变化趋势，获得所述第一通孔的深度变化趋势。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目216次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息1761条，此外企业还拥有行政许可106个。

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来源：市场资讯