长江存储申请半导体结构及其制备方法相关专利，解决氟扩散侵蚀的问题

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统”的专利，公开号CN120603251A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决氟扩散侵蚀的问题。所述半导体结构包括堆叠结构、沟道结构、以及扩散阻挡层。堆叠结构包括层叠设置的多层栅极层；多层栅极层间隔分布。沟道结构沿堆叠结构的堆叠方向贯穿堆叠结构。沟道结构包括第一电荷阻挡层和电荷捕获层，第一电荷阻挡层位于电荷捕获层与多层栅极层之间。扩散阻挡层位于多层栅极层与第一电荷阻挡层之间。上述半导体结构应用于三维存储器中。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1416次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

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来源：市场资讯