甬矽电子申请低耦合重布线封装结构及其制备方法专利，大幅降低重构线路层与金属层的重叠面积

国家知识产权局信息显示，甬矽电子（宁波）股份有限公司申请一项名为“低耦合重布线封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN120600718A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明提供的一种低耦合重布线封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术，该封装结构包括芯片、塑封体、介质层、重构线路层和锡球，芯片的正面设置有金属层；塑封体包覆在芯片的周围；介质层设置在金属层的表面，并覆盖塑封体；重构线路层设置在介质层中，并与金属层连接；锡球设置在介质层远离芯片的一侧，并与重构线路层连接；其中，金属层上蚀刻形成有避让缺口，避让缺口贯穿金属层，且重构线路层在芯片的正面的投影与避让缺口至少部分重叠。相较于现有技术，本发明通过在金属层上形成与重构线路层重叠的避让缺口，能够大幅降低重构线路层与金属层的重叠面积，减小与RDL的耦合效应，高频信号的回损结果得到较大改善。

天眼查资料显示，甬矽电子（宁波）股份有限公司，成立于2017年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本40962.593万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽电子（宁波）股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目36次，财产线索方面有商标信息153条，专利信息422条，此外企业还拥有行政许可22个。

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来源：市场资讯