陕西君普新航科技等申请具有复合源结构的P-GaN栅HEMT抗辐照器件及其制备方法专利，提高器件的抗单粒子能力和抗总剂量效应的能力

国家知识产权局信息显示，西安电子科技大学、陕西君普新航科技有限公司申请一项名为“一种具有复合源结构的P-GaN栅HEMT抗辐照器件及其制备方法”的专利，公开号CN120603302A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，为解决现有器件抗空间辐照能力低的问题，具体提出一种具有复合源结构的P‑GaN栅HEMT抗辐照器件及其制备方法。本发明的结构从下至上包括：衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层上方的中间位置处设置有p‑GaN层，在p‑GaN层上方设置有栅极，势垒层上表面的两侧分别设置有源极和漏极；在源极的下方刻蚀并淀积有空穴泄放通道；栅源之间和栅漏之间设置了钝化层。本发明通过提供一个空穴泄放的通道，降低器件内部的空穴积累，以提高器件的抗单粒子能力和抗总剂量效应的能力，进一步发挥P‑GaN栅HEMT器件的抗辐照优势，同时解决其他所提出的加固结构工艺难度大的问题，使得P‑GaN栅HEMT器件能够在航空航天领域广泛应用。

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来源：市场资讯