美光科技申请改进的竖直3D存储器装置及存取方法专利，提供一种存储器装置及其存取/取消选择方法

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“改进的竖直3D存储器装置及存取方法”的专利，公开号CN120603255A，申请日期为2020年05月。

专利摘要显示，本申请案涉及一种改进的竖直3D存储器装置及存取方法。本公开提供一种存储器装置及其存取/取消选择方法。所述存储器装置包括：存储器层，其包含形成于其中的存储器单元的竖直三维(3D)存储器阵列，其中存储器单元经由彼此正交的字线及数字线被存取，且所述数字线呈竖直延伸的导电支柱的形式；支柱选择层，其形成于所述存储器层下方，且其中形成有用于存取存储器单元的薄膜晶体管(TFT)；及外围电路层，其形成于所述支柱选择层下方，且具有用于字线及位线的感测放大器及解码电路系统，其中针对每一支柱配置TFT。