广东天域半导体申请有效清洗去除碳化硅晶片表面硼元素残留方法专利，能有效清洗去除碳化硅晶片表面硼元素残留

国家知识产权局信息显示，广东天域半导体股份有限公司申请一项名为“一种有效清洗去除碳化硅晶片表面硼元素残留的方法”的专利，公开号 CN120600624A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明公开了一种有效清洗去除碳化硅晶片表面硼元素残留的方法，包括以下步骤：将碳化硅晶片转移至PFA卡塞上，进行上料；将碳化硅晶片进行SPM药液浸泡；将碳化硅晶片转移至纯水槽中；将碳化硅晶片进行APM药液浸泡；将碳化硅晶片转移至纯水槽中；至少重复步骤S2至步骤S5一次；将碳化硅晶片转移至纯水槽中；将碳化硅晶片进行DHF药液浸泡，将碳化硅晶片转移至纯水槽中，将碳化硅晶片转移至甩干机中，将碳化硅晶片快速甩干；将甩干后碳化硅晶片转移入清洗过的PP卡塞内，完成下料；本发明在保证能清洗碳化晶片表面污染物、有机物及金属离子外，同时能有效清洗去除碳化硅晶片表面硼元素残留。

天眼查资料显示，广东天域半导体股份有限公司，成立于2009年，位于东莞市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本36319.8011万人民币。通过天眼查大数据分析，广东天域半导体股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目121次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息124条，此外企业还拥有行政许可69个。

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来源：市场资讯