争妍微电子申请一种碳化硅功率器件及其制备方法专利，提高器件的可靠性和稳定性
国家知识产权局信息显示，深圳争妍微电子有限公司申请一项名为“一种碳化硅功率器件及其制备方法”的专利，公开号CN120603268A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本发明涉及一种碳化硅功率器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括如下步骤：抛光处理的碳化硅衬底；在碳化硅衬底上生长缓冲层和有源层，以形成外延层；在有源层表面生长栅氧化层；在栅氧化层上旋涂光刻胶；在有源层上通过离子注入和退火工艺形成源极和漏极；在有源层上形成场限环。
天眼查资料显示，深圳争妍微电子有限公司，成立于2024年，位于深圳市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳争妍微电子有限公司专利信息3条，此外企业还拥有行政许可1个。
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来源：市场资讯
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