爱普科技申请半导体结构及制备方法专利，揭露一种半导体结构与制造方法

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，爱普科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN120603312A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本申请内容揭露一种半导体结构与一种制造半导体结构的方法。半导体结构包含第一芯片、第二芯片、第一接合层及电源管理晶粒。第一芯片中具有第一3D电容器结构。第二芯片中具有第二3D电容器结构。第一接合层将第一芯片与第二芯片接合。电源管理晶粒与第二芯片接合。电源管理晶粒透过沿着半导体结构的厚度延伸并跨过第一接合层的互连件而电性连接至第一3D电容器结构与第二3D电容器结构。