华虹半导体申请改善存储器件中ONO叠层电学厚度稳定性方法专利，显著提高了ONO叠层电学厚度的稳定性和控制精度

国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“改善存储器件中ONO叠层电学厚度稳定性的方法”的专利，公开号CN120603249A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明提供一种改善存储器件中ONO叠层电学厚度稳定性的方法，包括：获取第一氧化层、氮化硅层及沉积后第二氧化层的实测厚度；将氮化硅层实测厚度乘以一转换系数得到其等效氧化物厚度；根据目标电学厚度、第一氧化层实测厚度和氮化硅层等效氧化物厚度，计算出第二氧化层的目标厚度；计算沉积后第二氧化层实测厚度与该目标厚度的差值；最后，基于该差值对第二氧化层进行先进过程控制湿法浸泡(APC Dip)处理以调整其厚度。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目375次，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可227个。

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来源：市场资讯