长江存储申请半导体结构及其制备方法、存储器系统专利，提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法以及存储器系统

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储器系统”的专利，公开号CN120603236A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法以及存储器系统，半导体结构包括：衬底，包括第一器件区以及第二器件区；位于第一器件区的第一有源区以及位于第二器件区的第二有源区，其中第一有源区和第二有源区均从衬底的第一表面延伸至衬底内，第一表面为衬底的两个相对的主表面中的一个；第一硅化物层和第二硅化物层；位于第一硅化物层的一侧的第一接触结构以及位于第二硅化物层的一侧的第二接触结构，其中，第一硅化物层连接第一有源区与第一接触结构，第二硅化物层连接第二有源区与第二接触结构；以及第二硅化物层的电阻率小于第一硅化物层的电阻率。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

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来源：市场资讯