半导体元件工业申请纳米光子高光谱成像专利，提供图像传感器像素及其构建方法

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“纳米光子高光谱成像”的专利，公开号CN120602801A，申请日期为2024年06月。

专利摘要显示，本申请涉及纳米光子高光谱成像。提供了图像传感器像素及其构建方法。该图像传感器像素包括第一光电探测器、第二光电探测器、第一光谱路由器和第二光谱路由器。该第一光谱路由器定位在该第一光电探测器和该第二光电探测器上方。该第一光谱路由器被配置为将第一颜色波长范围的第一子集中的入射光引导到该第一光电探测器以及将该第一颜色波长范围的第二子集中的入射光引导到该第二光电探测器。该第二光谱路由器定位在该第一光谱路由器上方。该第二光谱路由器被配置为将该第一颜色波长范围的该第一子集和该第二子集中的该入射光引导到该第一光谱路由器。该第二光谱路由器被配置为将第二颜色波长范围中的入射光引导到一个或多个相邻图像传感器像素。