尚阳通申请沟槽型 MOSFET 及其制造方法专利，能集成 JCR

国家知识产权局信息显示，深圳尚阳通科技股份有限公司申请一项名为“沟槽型 MOSFET 及其制造方法”的专利，公开号 CN120603315A，申请日期为 2025 年 06 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽型 MOSFET，作为 MOSFET 的第一沟道区的第二导电类型的第一阱区形成于栅极沟槽的第一侧面处，栅极沟槽的第二侧面处形成有第二导电类型的第二掺杂区且第二掺杂区还会延伸到栅极沟槽的底部表面正下方，在第二掺杂区的顶部表面上形成有沿栅极沟槽的长度方向间隔排列的第一导电类型的第三掺杂区，第三掺杂区的第二侧面延伸到第二掺杂区的第二侧面外侧或对齐。相邻两个栅极沟槽之间的位于第二掺杂区和邻近的第一阱区或所述第二掺杂区作为 JFET 的栅极区，栅极区之间的第一外延层和第三掺杂区形成 JFET 的沟道区。本发明还公开了一种沟槽型 MOSFET 的制造方法。本发明能集成 JCR，降低导通压降和实现单极导通，能降低密勒电容和提高器件可靠性。

天眼查资料显示，深圳尚阳通科技股份有限公司，成立于2014年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5107.3257万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳尚阳通科技股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息151条，此外企业还拥有行政许可20个。

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来源：市场资讯