上海超致半导体申请半导体器件专利，改善密勒电容充放电造成的器件短路问题

国家知识产权局信息显示，上海超致半导体科技有限公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号 CN120603288A，申请日期为 2025 年 08 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件，包括：第一半导体本体，包括导电类型不同且位于第一表面的第一欧姆接触区和第二欧姆接触区，和与第二欧姆接触区导电类型相同且位于第一欧姆接触区和第二欧姆接触区靠近第二表面一侧的埋层；第二半导体本体，位于第一表面上，包括第一半导体层、第三半导体层和与二者导电类型不同且位于二者之间的第二半导体层；第一电极，与第一欧姆接触区以及第三半导体层电连接；第一栅极，与第二欧姆接触区以及第一半导体层电连接；第二栅极，与第二半导体层电连接；第一阻性材料层，与第二栅极以及第三半导体层接触；第二阻性材料层，与第二栅极以及第一半导体层接触。

天眼查资料显示，上海超致半导体科技有限公司，成立于2015年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本597.8235万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超致半导体科技有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息40条，此外企业还拥有行政许可2个。

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来源：市场资讯