上海华力申请半导体结构的制作方法专利，降低高深宽比沟槽填充困难

国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体结构的制作方法”的专利，公开号CN120603245A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过将基底的存储单元区的高深宽比的沟槽填充拆分为两道低深宽比的沟槽填充，从而降低了所述高深宽比沟槽填充的困难。此外，在第一道沟槽填充之后再形成离子注入存储单元N阱区，从而能够提高第一道沟槽填充的退火温度，进而增强沟槽内填充的氧化物的致密度，解决了沟槽内填充的氧化物质量差导致的后续湿法刻蚀率异常和不同结构刻蚀速率相差太大，无法保证均一性的问题。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2082次，专利信息2411条，此外企业还拥有行政许可345个。

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来源：市场资讯