芯联集成电路制造申请超结半导体器件专利，增强器件的抗电磁干扰能力

国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“超结半导体器件”的专利，公开号 CN120603304A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本申请涉及一种超结半导体器件，涉及半导体技术领域，包括：半导体材料层，包括彼此相对的上表面和下表面；超结结构，位于半导体材料层中，包括若干呈交替排列的第一导电类型柱和第二导电类型柱；第一导电类型阱区，位于半导体材料层中且位于第一导电类型柱顶端，第一导电类型阱区包括第一类阱区和第二类阱区；栅极，位于上表面上；第一导电插塞，穿过栅极与第一类阱区导电连接；第二导电插塞，位于栅极上，与栅极导电连接；第二类阱区上方被栅极覆盖，第二类阱区与第一导电插塞、与第二导电插塞均绝缘隔离；第二类阱区从核心区延伸至终端区，第二类阱区在核心区以及在终端区均与第一类阱区分立设置。

天眼查资料显示，芯联集成电路制造股份有限公司，成立于2018年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本704664.1万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1700次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息728条，此外企业还拥有行政许可42个。

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来源：市场资讯