尚阳通申请沟槽型MOSFET及其制造方法专利，能集成栅控二极管并实现反向续流

国家知识产权局信息显示，深圳尚阳通科技股份有限公司申请一项名为“沟槽型MOSFET及其制造方法”的专利，公开号CN120603313A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽型MOSFET，在沟槽栅的第一侧形成有第一阱区和位于第一阱区顶部表面的源区，在沟槽栅的第二侧形成有第二掺杂区且部分第二掺杂区延伸到栅极沟槽的底部表面正下方，在第二掺杂区的顶部形成有平面栅以及在平面栅的两侧分别形成有第三掺杂区和第四掺杂区，第三掺杂区位于第二掺杂区的顶部表面区域中，第四掺杂区位于第二掺杂区外的第一外延层中，源区、第一阱区、第三掺杂区和平面栅的第二栅极导电材料层都连接到源极。本发明还公开了一种沟槽型MOSFET的制造方法。

天眼查资料显示，深圳尚阳通科技股份有限公司，成立于2014年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5107.3257万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳尚阳通科技股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息151条，此外企业还拥有行政许可20个。

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来源：市场资讯