山西第三代半导体申请液相法生长碳化硅加热搅拌机构专利，提高物料搅拌混合效率和效果

国家知识产权局信息显示，山西第三代半导体技术创新中心有限公司申请一项名为“一种液相法生长碳化硅的加热搅拌机构”的专利，公开号 CN120586761A，申请日期为 2025 年 05 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种液相法生长碳化硅的加热搅拌机构，具体涉及碳化硅加热技术领域，包括筒体，筒体上设置有搅拌组件，搅拌组件包括嵌入在筒体顶部的限位座，限位座的底部设置有压盘，压盘的中部设置有转筒。本发明通过第三齿轮旋转最先带动第一齿轮旋转，第一齿轮旋转带动第二齿轮旋转，第二齿轮旋转避免原料输送时出现堆积的现象，提高导料时的便捷性，压盘向下位移时抵触在弹性搅拌带上，继而使得弹性搅拌带受力形变，易于将各个弹性搅拌带抵触在一起，使得弹性搅拌带的布置更为密集，提高物料搅拌混合效率和效果，并且通过错位口挤压在一起的方式，也方便根据限位座内物料的多少调节搅拌区域，易于将物料聚拢在一起搅拌。

天眼查资料显示，山西第三代半导体技术创新中心有限公司，成立于2022年，位于太原市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，山西第三代半导体技术创新中心有限公司参与招投标项目5次，专利信息10条，此外企业还拥有行政许可1个。

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来源：市场资讯