盛晶源申请氮化铝晶体生长炉用潜热释放装置专利，使盖体上的AlN晶体快速长时间的稳定生长

国家知识产权局信息显示，辽宁盛晶源半导体科技有限公司申请一项名为“一种氮化铝晶体生长炉用潜热释放装置”的专利，公开号CN 120591894 A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本申请涉及一种氮化铝晶体生长炉用潜热释放装置，其包括炉体，所述炉体内设置有多层保温层，多层所述保温层中心设置有生长腔室，所述生长腔室中心设置有用于放置原料的坩埚，所述坩埚顶部盖设有盖体，所述盖体内部设置有籽晶，所述生长腔室内还设置有主加热器，所述盖体上侧还设置有潜热传导台，所述炉体上设置有带动潜热传导台沿竖直方向升降的升降组件，所述潜热传导台内设置有辅助加热组件，所述潜热传导台背离盖体的一侧还设置有冷却组件，所述冷却组件位于炉体外侧。

天眼查资料显示，辽宁盛晶源半导体科技有限公司，成立于2024年，位于沈阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，辽宁盛晶源半导体科技有限公司专利信息6条。

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来源：市场资讯