芯东来申请基于Transformer模型的光刻机掩膜版对准方法专利，提高光刻精度

国家知识产权局信息显示，上海芯东来半导体科技有限公司申请一项名为“一种基于Transformer模型的光刻机掩膜版对准方法”的专利，公开号CN 120595546 A，申请日期为2025年08月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于Transformer模型的光刻机掩膜版对准方法，涉及光刻机技术领域，用于解决当前光刻机掩膜版对准精度不准确问题；该方法首先通过采集掩膜版与晶圆组合的图像数据并对图像进行噪声去除和归一化处理。接着，通过区域划分、物理特性分析和多因子融合算法计算各子区域的动态系数，将提取的特征数据与动态系数序列化后输入Transformer模型，进行自注意力机制处理，输出掩膜版与晶圆的对准偏差预测值。最后，根据偏差预测值，采用自适应步进电机控制策略动态调整掩膜版位置和角度，精确补偿平移与旋转误差。

天眼查资料显示，上海芯东来半导体科技有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本3649.635万人民币。通过天眼查大数据分析，上海芯东来半导体科技有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息37条。

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来源：市场资讯