华虹宏力申请存储器专利，能减少存储器的面积

国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“存储器”的专利，公开号CN 120600071 A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明公开了一种存储器，包括由多个OTP单元组成的存储阵列。OTP单元包括由NMOS管组成的选择管以及由PMO S管组成存储管。选择管的源极作为OTP单元的位线端。选择管的漏极连接存储管的漏极。存储管的源极作为OTP单元的源线端。选择管的栅极做OTP单元的选择栅，存储管的栅极为浮栅。存储阵列包括NMOS组和PMOS组。各选择管都形成于NMOS组中。各存储管都形成于PMOS组中。OTP单元的编程电压大于电源电压，NMOS组的电压域的最大电压为电源电压；PMOS组的电压域的最大电压为编程电压。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目921次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

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来源：市场资讯