合肥芯胜半导体申请光电导材料及其制备方法、太赫兹波发生器专利，能提高后续集成器件的功率
国家知识产权局信息显示，合肥芯胜半导体有限公司申请一项名为“光电导材料及其制备方法、太赫兹波发生器”的专利，公开号 CN 120601231 A，申请日期为 2025 年 08 月。
专利摘要显示，本发明提供了一种光电导材料及其制备方法、太赫兹波发生器，属于光电技术领域。该光电导材料包括：衬底；缓冲层，覆盖于衬底的上表面；掺杂层，覆盖于缓冲层的上表面，包括由掺杂型 CdTe：In 层和掺杂型 InSb：Be 层交替形成的多组交替层，掺杂型 CdTe：In 层覆盖于缓冲层的上表面上。
天眼查资料显示，合肥芯胜半导体有限公司，成立于2023年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥芯胜半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目9次，专利信息6条，此外企业还拥有行政许可5个。
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来源：市场资讯
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