中欣晶圆申请硅片倒角晶粒残留控制方法专利，有效避免LTO层疏松引发的晶粒附着现象

国家知识产权局信息显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“一种硅片倒角晶粒残留控制方法”的专利，公开号CN 120600626 A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明公开了一种硅片倒角晶粒残留控制方法，该方法包括以下步骤：首先进行衬底倒角预处理，用粒度≤5μm的树脂砂轮分步倒角，以降低边缘损伤；接着开展X1区域LTO选择性去除步骤，通过掩膜保护非X1区域，再采用干法刻蚀或低浓度HF溶液局部去除X1处LTO层；最后进行边缘抛光，使用化学机械抛光技术，将X1区域表面粗糙度控制在Ra≤0.1μm。本发明所述的一种硅片倒角晶粒残留控制方法，通过掩膜保护非X1区域，再利用干法刻蚀或低浓度HF溶液精准去除X1处LTO层，从根源上解决了传统工艺中因倒角表面粗糙度高而导致LTO层结构疏松的问题，有效避免了LTO层疏松引发的晶粒附着现象，显著减少了外延过程中的缺陷，提升了外延层的质量和性能。

天眼查资料显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本48000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息237条，此外企业还拥有行政许可76个。

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来源：市场资讯