上海集成电路装备材料产业创新中心申请金属-绝缘体-金属电容器结构及其制造方法专利，可优化掩模版的数量并降低刻蚀难度

国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“金属-绝缘体-金属电容器结构及其制造方法”的专利，公开号CN 120603484 A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本发明提供了一种金属‑绝缘体‑金属电容器结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，其上具有堆叠体；形成覆盖材料层；执行第一光刻及对应的刻蚀工艺，形成N个第一开口及第N+1开口；执行第二至第M光刻及对应的刻蚀工艺，形成第二至第N开口，及刻蚀第N+1开口以暴露衬底的表面，其中，在第二至第M光刻及对应的刻蚀工艺中，每次光刻选中第二至第N引出区中的部分第一开口且每次刻蚀工艺蚀刻去除至多A层电极材料层及至多A层，A为2ˉN‑1的整数；形成侧墙，并在第一至第N开口内填充导电材料层以形成引出结构。

天眼查资料显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目72次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息511条，此外企业还拥有行政许可211个。

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来源：市场资讯