长江存储申请半导体器件等相关专利，能满足键合工艺要求

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件、半导体晶圆及制备方法、存储系统”的专利，公开号 CN 120603322 A，申请日期为 2024 年 02 月。

专利摘要显示，本申请实施例公开了一种半导体器件、半导体晶圆及制备方法、存储系统，半导体晶圆包括第一半导体基材、第二半导体基材及高K介电层，第二半导体基材与第一半导体基材相对设置；高K介电层设于第半导体基材与第二半导体基材之间本申请实施例提供的半导体晶圆通过将第一半导体基材和第二半导体基材通过高K介电层作为中间键合层，高K介电层相比于埋氧层在相同等效氧厚度的情况下具有更高的物理厚度，对于键合工艺更容易控制，因此，能够在半导体晶圆的特征尺寸微缩后满足器件性能提升需求的同时，还能够满足键合工艺要求。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1416次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

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来源：市场资讯