芯迈半导体申请半导体器件及其制造方法专利，降低器件的反向恢复电荷

国家知识产权局信息显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN 120603309 A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体器件及其制造方法，该器件包括基于半导体层形成的多个元胞，至少一个元胞包括：第一栅极结构，包围半导体层的一平台区域；场板结构，位于平台区域；阱区，位于平台区域的部分的外延层区域，阱区的深度小于第一栅极结构的深度，阱区的侧壁与第一栅极结构和场板结构的侧壁相接；源区，位于阱区中，源区的深度小于阱区的深度，源区的侧壁与第一栅极结构和场板结构的侧壁相接；源极导电层，位于平台区域，且至少部分位于半导体层的表面之上，其中，源极导电层部分覆盖在源区上，部分覆盖在外延层上，从而降低器件的反向恢复电荷。

天眼查资料显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息162条，此外企业还拥有行政许可8个。

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来源：市场资讯