深超光电申请薄膜晶体管等相关专利，降低有源层侧壁处载流子数量

国家知识产权局信息显示，深超光电（深圳）有限公司申请一项名为“薄膜晶体管、像素阵列基板、显示装置及其制造方法”的专利，公开号CN120614858A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本发明涉及一种薄膜晶体管、像素阵列基板、显示装置及其制造方法。所述薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤：在基板上形成第一金属层以及覆盖于第一金属层上的绝缘层；在绝缘层上形成非晶态半导体薄膜；对非晶态半导体薄膜进行热处理，以使非晶态半导体薄膜转换为第一半导体材料层；在第一半导体材料层上形成第二及第三半导体材料层以组成有源层；对有源层进行载流子移除处理，以降低有源层的侧壁处的载流子数量；在有源层上形成第二金属层；以及进行蚀刻处理，以将第二金属层分隔为源极和漏极。

天眼查资料显示，深超光电（深圳）有限公司，成立于2004年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本76930万美元。通过天眼查大数据分析，深超光电（深圳）有限公司共对外投资了31家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息345条，此外企业还拥有行政许可31个。

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来源：市场资讯