新存科技申请一种能减少写入错误提升可靠性的相变存储器专利

国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“一种相变存储器”的专利，公开号CN120614834A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本申请公开了一种相变存储器，可用于半导体器件领域，该相变存储器包括：存储单元、线性阻挡层、第一信号线以及第二信号线；其中，第一信号线位于存储单元的第一侧，第二信号线位于存储单元的第二侧；线性阻挡层覆盖于存储单元的侧壁，存储单元的侧壁与第一信号线和第二信号线垂直；线性阻挡层包括接触存储单元侧壁的第一阻挡层和背离存储单元侧壁的第二阻挡层；第二阻挡层的热导率高于第一阻挡层的热导率。由此，通过具有低热导率的第一阻挡层阻隔RESET电流产生的热量向四周传递；通过具有高热导率的第二阻挡层将第一阻挡层中溢出的热量快速导走，减少周围存储单元出现晶态‑非晶态反转情况的频率，减少写入错误，提升相变存储器的可靠性。

天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目3次，专利信息152条。

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来源：市场资讯