南亚科技申请具有介电衬垫的半导体结构及其制备方法专利，提供一种半导体结构及其制备方法

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有介电衬垫的半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120614810A，申请日期为2024年05月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底；一位元线结构，设置在该基底上方；多个电容器接触结构，邻近该位元线结构设置；多个介电衬垫，设置在该等电容器接触结构中，其中每个介电衬垫围绕对应的该电容器接触结构的至少一部分；以及多个着陆垫层，设置每个着陆垫层以部分覆盖对应的该电容器接触结构的一上表面和一侧壁。该基底包括一隔离层，其中该隔离层所界定出多个主动区，其中多个源极区和漏极区设置在该主动区中。