旺宏电子申请半导体结构专利，可应用于三维AND闪存元件

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“半导体结构”的专利，公开号CN120613312A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构，可应用于三维AND闪存元件。半导体结构包括基底、介电结构、第一密封环结构与第一密封通孔。基底包括元件区。介电结构位于基底上。第一密封环结构位于介电结构中。第一密封环结构围绕元件区。第一密封通孔位于介电结构中。第一密封通孔围绕元件区。第一密封通孔位于第一密封环结构上。第一密封通孔直接接触第一密封环结构。