旺宏电子申请存储器装置及其制造方法专利，公开了存储器装置及其制造方法

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器装置及其制造方法”的专利，公开号 CN120614827A，申请日期为 2024 年 03 月。

专利摘要显示，本公开提供了一种存储器装置及其制造方法。存储器装置包括阵列区域、阶梯区域、在阵列区域与阶梯区域中的参考结构、在阵列区域与阶梯区域中的堆叠结构以及从阵列区域沿着一方向延伸到阶梯区域的壁结构。参考结构包括导电结构与在阶梯区域中嵌设于导电结构内的介电结构。介电结构包括第一介电层与设置在第一介电层的顶面、侧壁及底面上的第二介电层。第一介电层的侧壁连接至第一介电层的顶面与底面。堆叠结构包括交替堆叠在参考结构上方的导电层与绝缘层。壁结构穿过堆叠结构并且超出介电结构。