罗博半导体申请晶圆外观缺陷检测方法等相关专利，兼顾低对比度缺陷检出和低色差不检出现场

国家知识产权局信息显示，武汉罗博半导体科技有限公司申请一项名为“晶圆外观缺陷检测方法、装置、设备及存储介质”的专利，公开号CN120612315A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体检测技术领域，公开了一种晶圆外观缺陷检测方法、装置、设备及存储介质，该方法通过计算待检测晶圆的最小值图像和最大值图像，获取所述待检测晶圆的待检测晶粒图，将所述最小值图像减去所述待检测晶粒图，获得暗缺陷差值图，将所述待检测晶粒图减去所述最大值图像，获得亮缺陷差值图，对所述暗缺陷差值图和所述亮缺陷差值图，分别进行阈值分割，获得分别对应的暗缺陷和亮缺陷，从而实现兼顾低对比度缺陷检出和低色差不检出现场。

天眼查资料显示，武汉罗博半导体科技有限公司，成立于2023年，位于武汉市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉罗博半导体科技有限公司专利信息9条，此外企业还拥有行政许可1个。

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来源：市场资讯