昇维旭申请一种半导体结构及其制备方法专利，提高了器件性能的一致性

国家知识产权局信息显示，深圳市昇维旭技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120614820A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其制备方法，属于半导体制备技术领域，该制备方法包括：在半导体衬底上形成沿第一方向间隔排列且沿第二方向延伸的多条位线；其中，位线包括交替设置的第一部分和第二部分，第一部分在第三方向上的尺寸大于第二部分在第三方向上的尺寸，第三方向垂直于第二方向且平行于半导体衬底；再形成沿第二方向间隔排列且沿第一方向延伸的多条字线；其中，位线与字线空间交叠的交叠区域位于第一部分的上方；以位线为刻蚀停止层，在交叠区域刻蚀形成沟道孔，沟道孔贯穿字线和第一介质层且露出位线，部分沟道孔位于字线内。

天眼查资料显示，深圳市昇维旭技术有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市昇维旭技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息126条，此外企业还拥有行政许可15个。

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来源：市场资讯