长江存储申请提高半导体结构生产良率相关专利，解决如何提高半导体结构生产良率问题

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备”的专利，公开号CN120614802A，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决如何提高半导体结构的生产良率。半导体结构的制备方法包括形成中间半导体结构；中间半导体结构包括多个有源柱、多个栅极层和多个屏蔽层。形成第一层间绝缘层；沿第三方向，第一层间绝缘层覆盖中间半导体结构的一侧的表面。同步形成第一连接孔和第二连接孔。第一连接孔贯穿第一层间绝缘层，且停止于栅极层；第二连接孔贯穿第一层间绝缘层，且停止于屏蔽层。在第一连接孔和第二连接孔内，分别形成第一连接柱和第二连接柱。第一连接柱与栅极层连接，第二连接柱与屏蔽层连接。上述半导体结构的制备方法用于制备半导体结构。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1416次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

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来源：市场资讯