创芯集成申请一种半导体结构及其形成方法专利，改善刻蚀形成的沟槽的形貌

国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN120613262A，申请日期为 2025 年 06 月。

专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，为第一材质；在衬底内形成隔离沟槽，在隔离沟槽填充第二材质，形成隔离沟槽填充层，在衬底上形成多层硬掩膜层，第一材质与第二材质不同，并且多层硬掩膜层部分层材质为第二材质；刻蚀多层硬掩膜层，形成开口，包括暴露隔离沟槽填充层的部分顶面的第一开口部分，暴露衬底的部分顶面的第二开口部分；采用第一刻蚀选择比，通过第一开口部分，对隔离沟槽填充层进行第二材质刻蚀，第二材质刻蚀深度小于隔离沟槽填充层深度；采用第二刻蚀选择比，通过第二开口部分，基于隔离沟槽填充层的第二材质的刻蚀深度，对衬底进行第一材质刻蚀，形成初始沟槽；能够改善刻蚀形成的沟槽的形貌。

天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目257次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息402条，此外企业还拥有行政许可7个。

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来源：市场资讯