赛微电子申请易分离的阵列基底及其制备方法专利，提高半导体器件从衬底剥离的有序性及便捷性

国家知识产权局信息显示，北京赛微电子股份有限公司申请一项名为“易分离的阵列基底及其制备方法”的专利，公开号CN120613265A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本申请公开了一种易分离的阵列基底及其制备方法，所述方法包括：在衬底上刻蚀出牺牲层空腔，并在所述牺牲层空腔内填充牺牲层，得到第一支撑衬底；在所述第一支撑衬底上制备阵列基底，所述阵列基底用于承载半导体器件；去除所述牺牲层，将所述阵列基底从衬底上分离。

天眼查资料显示，北京赛微电子股份有限公司，成立于2008年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本73221.3134万人民币。通过天眼查大数据分析，北京赛微电子股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息19条，此外企业还拥有行政许可3个。

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来源：市场资讯