美光科技申请管理存储器系统中的交叉温度暴露专利，基于温度差选择读取设置

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“管理存储器系统中的交叉温度暴露”的专利，公开号CN120612973A，申请日期为2024年07月。

专利摘要显示，本申请涉及管理存储器系统中的交叉温度暴露。存储器系统控制器可在引导序列期间识别与第一存储器装置的逻辑块地址LBA处的写入操作相关联的温度，其中所述LBA与存储引导序列数据的一部分的所述第一存储器装置的物理地址相关联。所述存储器系统控制器可基于所述引导序列期间的所述第一存储器装置的操作温度与关联于在所述第一存储器装置的所述LBA处的所述写入操作的所述温度之间的差来选择读取设置。因此，所述存储器系统控制器可执行读取操作以根据所述读取设置从与所述LBA相关联的所述物理地址读取所述引导序列数据的所述部分。