长江存储申请半导体器件及其制备方法等相关专利 提供新型半导体器件构造

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、三维存储器和存储系统”的专利，公开号CN120614824A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、三维存储器和存储系统。该半导体器件包括：半导体层；堆叠结构，位于所述半导体层的一侧，并包括沿第一方向交替堆叠的栅极层和第一层间介质层；以及连接结构，至少部分位于所述堆叠结构中，并包括多个沿第二方向嵌套设置的导电层以及位于相邻两个所述导电层之间的隔离结构，多个所述导电层分别沿所述第一方向延伸并与不同的所述栅极层连接；其中，所述隔离结构包括第一隔离层和保护层，所述第一隔离层位于两个所述导电层之间，所述保护层位于所述第一隔离层远离所述半导体层的端部内；其中，所述第一方向和所述第二方向相交。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1416次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯