国家知识产权局信息显示,长江存储科技有限责任公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法和存储系统”的专利,公开号CN120614831A,申请日期为2024年03月。
专利摘要显示,本申请提供了一种半导体器件及其制备方法和存储系统,该半导体器件包括第一半导体结构、第二半导体结构、第一信号传输结构和焊盘。第一半导体结构包括晶体管,所述晶体管包括源/漏极掺杂区和栅极,第二半导体结构连接在所述第一半导体结构靠近所述栅极的一侧,第一信号传输结构连接在所述源/漏极掺杂区远离所述栅极的一侧,焊盘位于所述第一半导体结构远离所述第二半导体结构的一侧,且包括与所述第一信号传输结构连接的第一焊盘。本申请将第一焊盘设置在第一半导体结构靠近源/漏极掺杂区的一侧,因此可以直接通过第一信号传输结构给源/漏极掺杂区供电,从而降低第一信号传输结构的压降。
天眼查资料显示,长江存储科技有限责任公司,成立于2016年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析,长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目1416次,财产线索方面有商标信息978条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可995个。
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来源:市场资讯