西安奕斯伟申请硅片抛光相关专利，使抛光后的硅片达到目标平坦度要求

国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司、西安奕斯伟硅片技术有限公司申请一项名为“一种硅片抛光方法、装置、设备及可读存储介质”的专利，公开号CN 120606324 A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明提供了一种硅片抛光方法、装置、设备及可读存储介质，该方法包括：获取待抛光硅片的目标平坦度要求；通过第一对应关系和目标平坦度要求确定抛光垫的目标表面参数以及固定环的目标厚度；通过具有目标表面参数的抛光垫以及具有目标厚度的固定环对待抛光硅片进行抛光。本发明的方案，能够根据对具有目标平坦度要求的待抛光硅片，自动获得对待抛光硅片进行抛光的抛光垫的目标表面参数以及固定环的目标厚度，从而采用目标表面参数的抛光垫以及具有目标厚度的固定环的吸附垫对待抛光硅片进行抛光，使得抛光后的硅片达到目标平坦度要求。解决了无法确定合适的抛光垫的凸台宽度和沟槽宽度以及固定环的厚度，导致硅片的平坦度难以达到要求的问题。

天眼查资料显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司，成立于2016年，位于西安市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本350000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟材料科技股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目3次，专利信息1311条，此外企业还拥有行政许可24个。

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来源：市场资讯