理想晶延申请大面积基板PECVD工艺沉积设备及其沉积方法专利，间接控制目标膜层的沉积厚度

国家知识产权局信息显示，理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种大面积基板PECVD工艺沉积设备及其沉积方法”的专利，公开号CN 120608275 A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本申请涉及化学气相沉积技术领域，公开了一种大面积基板PECVD工艺沉积设备及其沉积方法，其中沉积设备包括顺序连接的多个腔室和用于放置基板的载板；载板受移动控制装置的控制在各腔体内移动；其中，进料腔用于过渡大气环境与真空环境；工艺腔通过PECVD工艺在基板上沉积目标膜层；工艺腔中：真空装置用于控制工艺腔的腔体内压强，确保气体和等离子体运动自由程；等离子源内通入反应气体，用于将反应气体分解为等离子体；前驱管路用于提供前驱气体；等离子体与前驱气体反应，在基板的表面沉积目标膜层；移动控制装置通过控制载板的移动速度，间接控制目标膜层的沉积厚度。

天眼查资料显示，理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本5734.831万人民币。通过天眼查大数据分析，理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目23次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息126条，此外企业还拥有行政许可17个。

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来源：市场资讯