江化微申请用于ITO透明导电膜的蚀刻液及制备方法和蚀刻工艺专利，能够精准控制蚀刻速率

国家知识产权局信息显示，四川江化微电子材料有限公司申请一项名为“一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液及其制备方法、蚀刻工艺”的专利，公开号CN 120607895 A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明提供一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液及其制备方法、蚀刻工艺，涉及半导体蚀刻技术领域。一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液，按重量百分比计，包括以下组份：硫酸2~10%，硝酸2~10%，甲磺酸0.01~4%，余量为水；其中，硫酸、硝酸和甲磺酸纯度均为电子级，水为超纯水。本发明的蚀刻液能够有效控制CD loss在0.15~0.23μm，蚀刻后ITO图案侧壁角度为50°~67°，且ITO层对相邻金属层Mo或Mo‑Al‑Mo无腐蚀性，能满足不同ITO膜厚的蚀刻效果；本发明的制备方法使蚀刻液的有效期延长至12个月以上。本发明的蚀刻工艺首次提出分阶蚀刻+氧化还原电位动态（ORP）控制+EIS相位角反馈终止+蒸汽退火的全链工艺，能够精准控制蚀刻速率，协同实现蚀刻工艺的高速‑高精度‑低损伤。

天眼查资料显示，四川江化微电子材料有限公司，成立于2017年，位于成都市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，四川江化微电子材料有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目10次，专利信息33条，此外企业还拥有行政许可47个。

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来源：市场资讯