上海集成电路研发中心申请半导体器件的建模相关专利，可有效评估半导体器件的良率

国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“半导体器件的建模方法、装置、设备、介质及程序产品”的专利，公开号 CN 120611672 A，申请日期为 2024年03月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件的建模方法、装置、设备、介质及程序产品，涉及半导体科技领域。该建模方法包括：通过创建本征晶体管对应的第一局部波动模型和第一全局波动模型，以及确定半导体器件寄生网络中待建模的目标寄生元素，并得到目标寄生元素的射频特性数据，基于射频特性数据可以创建目标寄生元素对应的第二波动波动模型和第二波动波动模型，再建立建立第一波动波动模型和第二波动波动模型的相关性、以及第一全局波动模型与第二波动波动模型的相关性。这样，针对半导体器件中寄生元素的波动进行建模，将寄生元素的波动特性纳入模型考量，可以提高模型的准确率，从而可以有效评估半导体器件的良率。

天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目293次，财产线索方面有商标信息97条，专利信息2135条，此外企业还拥有行政许可88个。

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来源：市场资讯