长鑫闵科申请一种半导体结构及电子设备专利，使至少部分第二导线位于不同导线组中的第一导线之间

国家知识产权局信息显示，长鑫闵科存储技术（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及电子设备”的专利，公开号CN 120612976 A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及电子设备；其中，半导体结构包括：沿第一方向排布的多个感测放大电路；感测放大电路中的器件设置于有源器件层；沿第一方向排布的多个导线组，导线组设置于有源器件层的上方的第一导电层，一导线组与对应的一感测放大电路中的器件连接；其中，导线组包括第一导线和第二导线；至少部分所述感测放大器电路对应的同一导线组内部的第一导线和第二导线扭绞，使至少部分第二导线位于不同导线组中的第一导线之间；当感测放大电路处于放大阶段时，同一导线组内部的第一导线的电位与第二导线的电位表征不同的数据。

天眼查资料显示，长鑫闵科存储技术（上海）有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫闵科存储技术（上海）有限公司专利信息15条，此外企业还拥有行政许可3个。

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来源：市场资讯