创芯集成申请一种半导体结构及形成方法专利，改善了半导体器件的性能

国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“一种半导体结构及形成方法”的专利，公开号CN 120613260 A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构及形成方法，其中，所述方法，包括：提供基底，所述基底包括衬底和形成在所述衬底上的氧化层；在所述基底上形成多个相互间隔的隔离沟槽，以所述隔离沟槽间的基底为隔离基底；在所述隔离沟槽中形成隔离结构；形成覆盖所述氧化层和所述隔离结构的初始光刻胶层；去除所述初始光刻胶层的部分区域形成光刻胶层，所述光刻胶层暴露离子注入区，并且所述光刻胶层在离子注入区处的侧壁的倾斜角度与离子束的倾斜角度相同；其中，所述离子注入区包括至少一隔离基底和与所述隔离基底两侧相接的部分隔离结构；使用离子束对离子注入区的隔离基底进行离子注入，形成离子掺杂区。

天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目257次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息402条，此外企业还拥有行政许可7个。

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来源：市场资讯