爱思开海力士申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利，一种半导体装置可包括多种特定结构

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN 120613331 A，申请日期为2024年07月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置可包括：第一半导体结构，其包括外围电路和电连接到外围电路的互连接构；第二半导体结构；接合层，其位于第一半导体结构和第二半导体结构之间；接合焊盘，其电连接到互连结构，接合焊盘延伸到接合层中；以及接触插塞，其穿过第二半导体结构延伸到接合层中，其中，接触插塞电连接到接合焊盘。