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光谷信息光电子创新中心申请内部MZI关键点电压确定相关专利,有效解决内部MZI关键点电压无法直接测量的难题

国家知识产权局信息显示,武汉光谷信息光电子创新中心有限公司申请一项名为“内部MZI关键点电压确定方法、装置、设备及存储介质”的专利,公开号CN 120614042 A,申请日期为2025年05月。

专利摘要显示,一种内部MZI关键点电压确定方法、装置、设备及计算机可读存储介质。该方法通过在级联MZI网络中构建光信号传输路径,使光信号传输路径至多包含两个待测MZI;当光信号传输路径中仅有一个待测MZI时,将其设为目标MZI;当光信号传输路径中有两个待测MZI时,则把该路径中距离输出端口最远的MZI设为目标MZI,另一个MZI热相移器电压不变然后在预设的电压范围内动态改变目标MZI的热相移器电压,采集输出端口光功率,绘制光功率‑电压曲线,进而确定目标MZI的交叉点电压和直通点电压。

天眼查资料显示,武汉光谷信息光电子创新中心有限公司,成立于2017年,位于武汉市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本16000万人民币。通过天眼查大数据分析,武汉光谷信息光电子创新中心有限公司参与招投标项目112次,财产线索方面有商标信息8条,专利信息328条,此外企业还拥有行政许可5个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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  • 原文链接https://page.om.qq.com/page/OVU216OsX0AhbRq6577ao7aQ0
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