长江存储申请半导体器件及其制作方法等相关专利，解决低电压晶体管背栅漏电的问题

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法、集成电路、存储系统”的专利，公开号CN 120614861 A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体器件及其制作方法、集成电路、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决低电压晶体管背栅漏电的问题。所述半导体器件包括衬底、第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层、第一晶体管和第二晶体管。第一绝缘层设置于衬底一侧，包括第一部分和第二部分。半导体层设置于第一部分远离衬底一侧。第二绝缘层设置于半导体层远离衬底一侧。第一晶体管包括设于半导体层中的第一源极和第一漏极，第二晶体管包括设于衬底中的第二源极和第二漏极。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1416次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

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来源：市场资讯